2024中国芯片能做到多少纳米

2024年中国芯片能做到的最先进制程为接近或等效7纳米。具体来说：

华为海思在部分设计中应用了中芯国际开发的等效7纳米的N+2工艺，该工艺在2023年实现了小规模流片。

有报道指出，中国部分厂商通过先进技术实现了7纳米芯片的量产。

中国芯片制造在其他制程方面也有显著进展：

中芯国际已实现14纳米FinFET工艺的成熟量产，良率稳定在95%以上。

2024年，中国发布了分辨率≤65nm、套刻精度小于8nm的国产光刻机，能够满足28nm及以上制程的芯片制造需求。

中国在存储芯片领域也取得了突破，如光谷企业新存科技自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“nm101”实现了存储架构的重大突破。

2024年中国芯片制造在先进制程方面取得了显著进展，但与国际最先进水平仍存在一定差距。随着技术的不断进步和研发投入的持续增加，中国在更先进制程芯片的研发上将加速推进。

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